B€ST4Y()U

* Best4you.wgz.cz To sú programy, hudba, recenzie, HTML, BBCode, PC about a veľa iného. Všetko, čo potrebuješ na jednom mieste *

Štatistika

TOPlist

Operačné pamäte

Pamäť s priamym prístupom alebo RAM (z angl. Random Access Memory) je pamäť s voľným (náhodným, ľubovoľným) prístupom. Čas zápisu do pamäte je rovnaký bez ohľadu na umiestnenie údaja v pamäti. Jej opakom je pamäť so sekvenčným prístupom.


RAM v užšom zmysle

Dnes sa používa označenie RAM nepresne len ako synonymum pre operačnú pamäť (pozostáva z RAM článkov) alebo len pre RWM. Pamäte tohto typu sú dnes výhradne polovodičové, kedysi sa používali pamäte napríklad feritové, pamäte na tenkých vrstvách či bubnové pamäte. Polovodičové RAM sú veľmi rýchle, ale sú drahšie ako iné typy. Používajú sa predovšetkým ako operačné pamäte počítačov. Slúžia na ukladanie údajov, ktoré počítač potrebuje na spracúvanie práve vykonávanej úlohy.

Označenie RAM sa niekedy nepresne používa aj ako synonymum len pre DRAM.

Externá RAM

Údaje, ktoré treba uchovať aj po vypnutí počítača sa ukladajú do externej pamäte počítača typu RAM - to je napr. disková mechanika, CD-ROM, disketa a. i., ktoré sú podstatne pomalšie ako polovodičová RAM, ale nezávislé na napájaní, lacnejšie a môžu mať podstatne vyššie kapacity.

Delenie

Delenie podľa možnosti zápisu

    * RWM (Read-Write Memory), (!) v praxi sa zaužívala skratka RAM
          o energeticky závislá („volatile“) RWM (RAM) [stráca obsah po odpojení elektrickej energie]:
                + SRAM (Static Random Access Memory)
                + DRAM (Dynamic Random Access Memory)
          o energeticky nezávislá = NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory):
                + FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)
                + MRAM (Magnetic Random Access Memory)
                + PCRAM (Phase Change Random Access Memory)
                + ...
    * ROM (Read-Only Memory) [všetky sú NVRAM ]:
          o interná (polovodičová):
                + klasická ROM
                + PROM (Programmable Read-Only Memory)
                + EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)
                + EAROM
                + EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
                      # Flash pamäť
          o externá:
                + CD-ROM
                + CD-R
                + CD-RW
                + DVD-ROM
                + ...
    * pevný disk, disketa ...

Delenie podľa technológie

    * bipolárne pamäte - dnes sa kvôli nízkej hustote integrácie a vysokej energetickej náročnosti už vôbec nepoužívajú, pričom kedysi ich pomerne vysokú rýchlosť (desiatky ns) dnešné CMOS pamäte prekračujú
    * unipolárne pamäte - založené na MOSFET tranzistoroch - dnešné pamäte sú výhradne konštruované len v tejto technológii

SRAM (Static Random Access Memory) je RAM, ktorá uchováva údaje v registroch pozostávajúcich z preklápacích (klopných) obvodov, elektrické napájanie pre uchovanie údajov musí byť trvalé, na rozdiel od DRAM však nepotrebujú občerstvovanie (refresh). Pamäte SRAM potrebujú pre vytvorenie jedinej pamäťovej bunky viac konštrukčných prvkov (typicky 6 MOSFET tranzistorov), preto je cena oproti DRAM podstatne vyššia a pamäťová hustota nižšia.

SRAM (v závislosti od konštrukcie) môžu dosahovať vyššie rýchlosti oproti DRAM (preto sa využívajú často ako cache), ich spotreba závisí od taktovacej frekvencie, teda skutočnej dosahovanej rýchlosti. U pomalších SRAM bez pristupovania (zápisu či čítania) klesá napájací prúd na zlomky mikroampér, preto sú vhodné na použitie ako pamäť zálohovaná batériou.

DRAM (Dynamic Random Access Memory) je RAM, ktorá uchováva údaje na kondenzátore (parazitnej kapacite riadiacej elektródy (Gate) tranzistora MOS, ktorý súčasne slúži ako čítací prvok pamäťovej bunky) ako elektrický náboj. Náboj sa pomaly vybíja, preto vyžaduje pravidelné obnovovanie (refresh) - čítanie a znovuzapísanie, t.j. znovunabíjanie parazitnej kapacity. Dynamické pamäte majú väčšiu hustotu integrácie na jeden zapamätaný bit (1 tranzistor oproti 6 u SRAM) a tým menšiu cenu pri vysokých kapacitách, než statické pamäte. Na rozdiel od SRAM však majú kvôli potrebe obnovovania nezanedbateľnú spotrebu aj keď sa k nim nepristupuje (nezapisuje ani nečíta).

Kvôli menšiemu (a tým lacnejšiemu) púzdru je u DRAM typicky multiplexovaná horná a dolná polovica adresnej zbernice, t.j. najprv sa privedie horná časť adresy, špeciálnym signálom sa zapíše do vnútorného registra pamäte, potom sa privedením dolnej časti adresy vyberá alebo zapisuje priamo požadovaná informácia.

V praxi boli bežné DRAM nahradené synchrónnymi typmi SDRAM a DDR SDRAM.

SDRAM (skratka z Synchronous Dynamic Random Access Memory) je druh polovodičovej pamäte RAM. Je druhom dynamickej RAM (DRAM), kde je prenosu údajov predchádza zápis adresy (multiplexovanej podobne ako u DRAM) a nastavenie nasledujúceho režimu, a samotný prenos údajov je riadený hodinovým signálom bez opakovaného zápisu adresy. Tým je umožnený zápis a čítanie údajov v blokoch („bursts“) výrazne vyššou rýchlosťou než u bežných DRAM (náhodný prístup je však samozrejme pomalší).

DDR SDRAM (skratka z Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) alebo aj skrátene DDRAM je druh počítačovej pamäte RAM. Odlišuje sa od pamäte SDRAM prenosom dát aj počas nábežnej aj dobežnej hrany jednej periódy hodinového signálu. Vďaka tomu dosahuje prenos dát v časovej jednotke dvojnásobok oproti SDRAM.

Pamäť na čítanie a zápis (angl. Read-Write Memory - RWM), dnes bežne nepresne označovaná ako RAM, je počítačová RAM na čítanie aj zápis.

Používa sa na uchovávanie údajov meniacich sa v čase. Príkladom je operačná pamäť v osobných počítačoch (takisto bežne nepresne označovaná ako RAM).

Delenie

    * energeticky závislá - stráca obsah po odpojení elektrickej energie:
          o statická pamäť RWM - (Static Random Access Memory - SRAM)
          o dynamická pamäť RWM - (Dynamic Random Access Memory - DRAM)
    * energeticky nezávislá - (Non-Volatile Random Access Memory - NVRAM):
          o ferroelektrická (Ferroelectric Random Access Memory - FeRAM)
          o magnetická (Magnetic Random Access Memory - MRAM) - vo vývoji
          o na princípe fázového prechodu (Phase Change Random Access Memory - PCRAM) - vo vývoji

Delenie podľa technológie výroby:

    * bipolárna pamäť - dnes sa už nepoužíva
    * unipolárna pamäť - MOS

 
| Hosting: webgarden.cz | Designed by 1predator123 | ©Best4you. All rights reserved. |